光刻機把圖案印上去之後,刻蝕機會(hui) 根據印上去的圖案刻蝕掉,光刻機標記出來應的區域和留下剩餘(yu) 的部分。蝕刻機的工作流程主要分前後段。前段一般是矽及矽的化合物的蝕刻,後段主要是金屬和電介質的蝕刻。刻蝕技術按工藝分類可分為(wei) 濕法刻蝕與(yu) 幹法刻蝕。其中濕法刻蝕又包括化學刻蝕與(yu) 電解刻蝕。濕法刻蝕一般隻用於(yu) 清洗,很少做圖案。幹法刻蝕是目前主流的刻蝕技術,它是以等離子體(ti) 幹法刻蝕為(wei) 主導。光刻隻在光刻膠上做好圖案,而在矽片上是沒有圖案的,需要用幹法刻蝕的等離子體(ti) 蝕刻矽片。可以想象,像是垂直矽片上下的一場大雨,沒有光刻膠保護的矽片就會(hui) 被轟擊,相當於(yu) 在矽片上挖出一個(ge) 洞或者槽。做好之後,光刻膠可以通過濕法蝕刻洗去,這樣才能得到有圖案的矽片。